5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-P21 |
| 针数： | 21 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-P21 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 21 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 52 ns | 标称接通时间 (ton)： | 10 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMC7G15US60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 21PM-AA, 21 PIN |
|
| SMC7G20US60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 21PM-AA, 21 PIN |
|
| SMC7G30US60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 21PM-BA, 21 PIN |
|
| SMC7G50US60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 21PM-BA, 21 PIN |
|
| SMC8.0 | SUNMATE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE |
|
| SMC8.0A | SUNMATE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE |
|
| SMC8.0C | SUNMATE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE |
|
| SMC8.0CA | SUNMATE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE |
|
| SMC8.2 | YANGJIE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 6.63V V(RWM), Unidirectional |
|
| SMC8.2C | LITEON |
获取价格 |
SURFACE MOUNT UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
