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SMBJ85TR

更新时间: 2024-11-04 13:13:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

SMBJ85TR 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AA包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.1Is Samacsys:N
最大击穿电压:115 V最小击穿电压:94.4 V
击穿电压标称值:104.7 V最大钳位电压:151 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.38 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn90Pb10)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMBJ85TR 数据手册

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