是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DO-214AA | 包装说明: | R-PDSO-C2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.19 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY | 最大击穿电压: | 11.5 V |
最小击穿电压: | 9.44 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-214AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | BIDIRECTIONAL |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 8.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ8.5CHE3/5B | VISHAY |
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TVS DIODE 8.5V 15.9V DO214AA | |
SMBJ8.5C-M3/5B | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
SMBJ8.5C-T3 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
SMBJ8.5D / CD | SWST |
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瞬态电压抑制管 | |
SMBJ8.5D-M3/H | VISHAY |
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TVS DIODE 8.5V 14.3V DO214AA | |
SMBJ8.5E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
SMBJ8.5-E3/52 | VISHAY |
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TVS DIODE 8.5V 15.9V DO214AA | |
SMBJ8.5-E3/5B | VISHAY |
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TVS DIODE 8.5V 15.9V DO214AA | |
SMBJ8.5E3/TR7 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
SMBJ8.5-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |