5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 9.44 V |
| 最大钳位电压： | 14.4 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ8.5A/54 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AA |
|
| SMBJ8.5A/TR7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| SMBJ8.5A-13 | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SMBJ8.5A-13-F | DIODES |
获取价格 |
600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SMBJ8.5ACA | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Stand off voltage range: from 5 V to 188 V |
|
| SMBJ8.5AD / CAD | SWST |
获取价格 |
瞬态电压抑制管 |
|
| SMBJ8.5A-E3/51 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| SMBJ8.5A-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AA |
|
| SMBJ8.5A-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AA |
|
| SMBJ8.5A-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
