Datasheet > SMBJ70

SMBJ70

更新时间： 2024-11-04 04:31:43

品牌	Logo	应用领域
TSC		/
页数	文件大小	规格书
4页	95K
描述
Surface Mount Transient Voltage Suppressor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBJ70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	95.1 V
最小击穿电压：	77.8 V	击穿电压标称值：	86.5 V
最大钳位电压：	125 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	3 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

SMBJ70 数据手册

SMBJ SERIES

Surface Mount Transient Voltage Suppressor

Voltage Range

5.0 to 170 Volts

600 Watts Peak Power

SMB/DO-214AA

Features

ꢀ

For surface mounted application

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Excellent clamping capability

.082(2.08)

.076(1.93)

.147(3.73)

.137(3.48)

Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volt to

BV min.

ꢀ

Typical I_Rless than 1μA above 10V

High temperature soldering guaranteed:

260^OC / 10 seconds at terminals

.187(4.75)

.167(4.25)

.012(.31)

.006(.15)

ꢀ

Plastic material used carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

600 watts peak pulse power capability with a 10 x 1000 us

waveform by 0.01% duty cycle

.103(2.61)

.078(1.99)

.012(.31)

.006(.15)

Mechanical Data

.056(1.41)

.035(0.90)

.008(.20)

.004(.10)

ꢀ

Case: Molded plastic

Terminals: Solder plated

Polarity: Indicated by cathode bandexcept bipolar

Standard packaging: 12mm tape (EIA STD RS-481)

Weight: 0.093gram

.208(5.28)

.200(5.08)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Type Number

Symbol

P_PK

Value

Minimum 600

Units

Watts

Peak Power Dissipation at T_A=25^OC, Tp=1ms(Note

Steady State Power Dissipation

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half

Sine-wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC method) (Note 2, 3) - Unidirectional Only

Maximum Instantaneous Forward Voltage at

50.0A for Unidirectional Only (Note 4)

I_FSM

100

Amps

Volts

V_F

3.5 / 5.0

Typical Thermal Resistance (Note 5)

Rθ_JL

Rθ_JA

℃/W

Operating and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-65 to + 150

^OC

Notes: 1. Non-repetitive Current Pulse Per Fig. 3 and Derated above T_A=25^OC Per Fig. 2.

2. Mounted on 0.4 x 0.4" (10 x 10mm) Copper Pads to Each Terminal.

3. 8.3ms Single Half Sine-wave or Equivalent Square Wave, Duty Cycle=4 pulses Per Minute

Maximum.

4. V_F=3.5V on SMBJ5.0 thru SMBJ90 Devices and V_F=5.0V on SMBJ100 thru SMBJ170 Devices.

5. Measured on P.C.B. with 0.27” x 0.27” (7.0mm x 7.0mm) Copper Pad Areas.

Devices for Bipolar Applications

1. For Bidrectional Use C or CA Suffix for Types SMBJ5.0 through Types SMBJ170.

2. Electrical Characteristics Apply in Both Directions.

- 602 -

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SMBJ70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ70(C)	BYTESONIC	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
SMBJ70(C)A	BYTESONIC	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
SMBJ70(C)AS	GOOD-ARK	获取价格	TVS
SMBJ70/2	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTI
SMBJ70/5	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTI
SMBJ70/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ70-51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ70-51-E3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ70-52	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ70-5B-E3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

与SMBJ70相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

33
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJ70

SMBJ70 技术参数

SMBJ70 数据手册

与SMBJ70相关器件

与SMBJ70相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJ70

SMBJ70 技术参数

SMBJ70 数据手册

与SMBJ70相关器件

与SMBJ70相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？