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SMBJ40A-13 PDF预览

SMBJ40A-13

更新时间： 2024-11-14 21:05:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

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SMBJ40A-13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.07
最大击穿电压：51.1 V最小击穿电压：44.4 V
击穿电压标称值：47.75 V最大钳位电压：64.5 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

SMBJ40A-13 数据手册

 浏览型号SMBJ40A-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SMBJ40A-13的Datasheet PDF文件第3页 
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A  
600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE  
SUPPRESSOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
600W Peak Pulse Power Dissipation  
5.0V - 170V Standoff Voltages  
Glass Passivated Die Construction  
Uni- and Bi-Directional Versions Available  
Excellent Clamping Capability  
Fast Response Time  
B
SMB  
Min  
Dim  
A
Max  
3.94  
4.70  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
3.30  
4.06  
1.91  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Plastic Material - UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
A
J
C
B
C
Mechanical Data  
D
·
·
Case: SMB, Transfer Molded Epoxy  
E
D
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
G
H
·
·
Polarity Indicator: Cathode Band  
(Note: Bi-directional devices have no polarity  
indicator.)  
J
G
H
All Dimensions in mm  
E
Marking: Date Code and Marking Code  
See Page 3  
·
·
Weight: 0.1 grams (approx.)  
Ordering Info: See Page 3  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Pulse Power Dissipation  
(Non repetitive current pulse derated above T = 25°C)  
(Note 1)  
PPK  
600  
W
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine  
Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)  
(Notes1, 2, & 3)  
IFSM  
100  
A
Instantaneous Forward Voltage @IPP = 35A VBR<100V  
V ³100V  
BR  
3.5  
5.0  
V
V
VF  
(Notes 1, 2, & 3)  
Tj, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Notes:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Measured with 8.3ms single half sine-wave. Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
3. Unidirectional units only.  
DS19002 Rev. 11 - 2  
1 of 3  
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A  
123

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SMBJ40A-13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MXLSMBJ40AE3 MICROSEMI

功能相似

 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MASMBJ40AE3 MICROSEMI

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 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ40A-TP MCC

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 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

与SMBJ40A-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJ40A-13-F DIODES

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 		600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SMBJ40A-7 DIODES

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
SMBJ40A-AT UNSEMI

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 		Surface Mount Transient Voltage Suppressors
SMBJ40A-AT YAGEO

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 		瞬态抑制二极管 (车用)
SMBJ40A-AU JJM

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 		车规瞬态电压抑制二极管
SMBJ40ACA STMICROELECTRONICS

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SMBJ40AD / CAD SWST

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 		瞬态电压抑制管
SMBJ40AE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ40A-E3 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ40A-E3/52 VISHAY

获取价格

 		DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ,

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