5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN |
| 最大击穿电压： | 36.8 V | 最小击穿电压： | 33.3 V |
| 击穿电压标称值： | 35.7 V | 最大钳位电压： | 46.6 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ30CA/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
|
| SMBJ30CA-13 | DIODES |
获取价格 |
600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SMBJ30CA-13-F | DIODES |
获取价格 |
600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SMBJ30CA-7-F | DIODES |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, LEAD |
|
| SMBJ30CA-AT | UNSEMI |
获取价格 |
Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
|
| SMBJ30CA-AT | YAGEO |
获取价格 |
瞬态抑制二极管 (车用) |
|
| SMBJ30CA-AU | JJM |
获取价格 |
车规瞬态电压抑制二极管 |
|
| SMBJ30CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT 600 Watt SURFACE MOUNT 600 Watt |
|
| SMBJ30CA-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA |
|
| SMBJ30CA-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
