是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-C2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 0.69 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最大击穿电压: | 38.3 V | 最小击穿电压: | 33.3 V |
击穿电压标称值: | 35.8 V | 最大钳位电压: | 48.4 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 5 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 30 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SMBJ30CA-13 | DIODES |
类似代替 |
600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
1SMB30CAT3G | ONSEMI |
功能相似 |
Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ30CA-7-F | DIODES |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, LEAD | |
SMBJ30CA-AT | UNSEMI |
获取价格 |
Surface Mount Transient Voltage Suppressors | |
SMBJ30CA-AT | YAGEO |
获取价格 |
瞬态抑制二极管 (车用) | |
SMBJ30CA-AU | JJM |
获取价格 |
车规瞬态电压抑制二极管 | |
SMBJ30CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT 600 Watt SURFACE MOUNT 600 Watt | |
SMBJ30CA-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA | |
SMBJ30CA-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA | |
SMBJ30CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ30CAE3/TR7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ30CA-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |