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SMBJ30AT1

更新时间: 2024-01-05 19:24:09
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力特 - LITTELFUSE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 460K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

SMBJ30AT1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.07
其他特性:LOW INDUCTANCE最大击穿电压:38.3 V
最小击穿电压:33.3 V击穿电压标称值:35.8 V
最大钳位电压:53.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SMBJ30AT1 数据手册

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