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SMBJ12CA

更新时间： 2024-11-23 09:21:07
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伯恩斯 - BOURNS 瞬态抑制器二极管电视光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
5页 355K
描述
SMBJ Transient Voltage Suppressor Diode Series

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SMBJ12CA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：0.71Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：699472
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：TVS Diode (Bi-directional)
Samacsys Package Category：Diodes Moulded Non PolarisedSamacsys Footprint Name：SMB (DO-214AA)
Samacsys Released Date：2018-01-14 11:12:40Is Samacsys：N
其他特性：PRSM-MIN最大击穿电压：14.7 V
最小击穿电压：13.3 V击穿电压标称值：14.3 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压：12 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SMBJ12CA 数据手册

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Features  
Applications  
■ RoHS compliant*  
■ IEC 61000-4-2 ESD (Min. Level 4)  
■ IEC 61000-4-4 EFT  
■ Surface Mount SMB package  
■ Standoff Voltage: 5.0 to 170 volts  
■ Power Dissipation: 600 watts  
■ IEC 61000-4-5 Surge  
SMBJ Transient Voltage Suppressor Diode Series  
General Information  
The markets of portable communications, computing and video equipment are challenging the semiconductor industry to develop  
increasingly smaller electronic components.  
Bourns offers Transient Voltage Suppressor Diodes for surge and ESD protection applications, in compact chip package DO-214AA (SMB)  
size format. The Transient Voltage Suppressor series offers a choice of Working Peak Reverse Voltage from 5 V up to 170 V and Breakdown  
Voltage up to 200 V. Typical fast response times are less than 1.0 ns for unidirectional devices and less than 5.0 ns for bidirectional devices  
from 0 V to Minimum Breakdown Voltage.  
Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle with standard pick and place equipment and the flat configuration  
minimizes roll away.  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
(Note 1,2)  
Minimum Peak Pulse Power Dissipation (T = 1 ms)  
P
P
600  
Watts  
PK  
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
I
100  
Amps  
FSM  
(Note 3)  
Steady State Power Dissipation @ TL = 75 °C  
P
5.0  
Watts  
Volts  
M(AV)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage @ I = 50 A  
PP  
(Note 5)  
V
F
J
(For Unidirectional Units Only)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
-55 to +150  
-55 to +175  
°C  
°C  
T
STG  
1. Non-repetitive current pulse, per Pulse Waveform graph and derated above T = 25 °C per Pulse Derating Curve.  
A
2. Thermal Resistance Junction to Lead.  
3. 8.3 ms Single Half-Sine Wave duty cycle = 4 pulses maximum per minute (unidirectional units only).  
4. Single Phase, Half Wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20 %.  
5.  
V
= 3.5 V on SMBJ5.0A through SMBJ90A and V = 5.0 V on SMBJ100A through SMBJ170A.  
F
F
How to Order  
SMBJ 5.0 CA  
Package  
SMBJ = SMA/DO-214AA  
Working Peak Reverse Voltage  
5.0 = 5.0 V  
(Volts)  
RWM  
Suffix  
A = 5 % Tolerance Unidirectional Device  
CA = 5 % Tolerance Bidirectional Device  
Asia-Pacific:  
Tel: +886-2 2562-4117 • Fax: +886-2 2562-4116  
Europe:  
Tel: +41-41 768 5555 • Fax: +41-41 768 5510  
The Americas:  
Tel: +1-951 781-5500 • Fax: +1-951 781-5700  
www.bourns.com  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex.  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
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SMBJ12CA 替代型号

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