是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-C2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 0.71 |
其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | 最大击穿电压: | 15.3 V |
最小击穿电压: | 13.3 V | 击穿电压标称值: | 14.3 V |
最大钳位电压: | 19.9 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 12 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SMBJ12CA | BOURNS |
功能相似 |
SMBJ Transient Voltage Suppressor Diode Series | |
1SMB12CAT3G | ONSEMI |
功能相似 |
Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ12CA-AT | UNSEMI |
获取价格 |
Surface Mount Transient Voltage Suppressors | |
SMBJ12CA-AT | YAGEO |
获取价格 |
瞬态抑制二极管 (车用) | |
SMBJ12CA-AU | JJM |
获取价格 |
车规瞬态电压抑制二极管 | |
SMBJ12CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ12CA-E3/2C | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ12CA-E3/51 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ12CA-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA | |
SMBJ12CA-E3/55 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ12CA-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA | |
SMBJ12CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |