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SMBJ12ATR

更新时间: 2024-01-29 17:55:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

SMBJ12ATR 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-214AA
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.17
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
最大击穿电压:16.9 V最小击穿电压:13.3 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:12 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMBJ12ATR 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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