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SMBJ12C

更新时间: 2024-01-10 05:21:31
品牌 Logo 应用领域
PROTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

SMBJ12C 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:R-PDSO-C2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.27Is Samacsys:N
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN最大击穿电压:16.3 V
最小击穿电压:13.3 V击穿电压标称值:14.8 V
最大钳位电压:22 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
湿度敏感等级:3最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压:12 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

SMBJ12C 数据手册

 浏览型号SMBJ12C的Datasheet PDF文件第2页 

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