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SMBG85-TP

更新时间： 2024-10-30 13:47:15

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	179K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, SMBG, 2 PIN

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SMBG85-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-215AA
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-215AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

SMBG85-TP 数据手册

SMBG5.0(C)(A)

THRU

SMBG170(C)(A)

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

l For surface mount applications (flat handing surface for accurate

Transient

Voltage Suppressor

5.0 to 170 Volts

600 Watt

Placement)

l Available as a unidirectional or bi-directional device

l Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

V_BRminimum

l Suppresses transients up to 600W @1.0ms including ESD per

Human body model test above 16kv (class 3)

l Available on tape and reel

DO-215AA

(SMBG) (Lead Frame)

Mechanical Data

CASE: JEDEC DO-215AA

Cathode Band

Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: is indicated by cathode band. Bidirectional devices

Have no polarity band

Maximum soldering temperature: 260^oC for 10 seconds

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

I_PP

See Table 1 Note: 1

Peak Pulse Power

Dissipation

P_PP

600W

40A

Note: 1,

Note: 3

Peak Forward Surge

Current

I_FSM)

P_(AV)

DIMENSIONS

Steady State Power

Dissipation

Operation And Storage T_J, T_STG-55^oC to

Temperature Range

1.0W

Note: 2,

INCHES

MIN

.075

.077

.004

---

.015

.065

.235

.160

.130

MIN

1.91

1.96

.10

---

.38

1.65

5.97

4.06

3.30

DIM

MAX

.095

.083

.008

.02

MAX

2.41

2.10

.20

.51

.76

2.13

6.48

4.70

3.94

NOTE

+150^oC

25^oC/W

.03

.084

.255

.185

.155

Thermal Resistance

NOTES:

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.175"

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.2 and derated above

T_A=25^oC per Fig.1.

2. Mounted on 4.0mm²copper pads to each terminal.

3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute

maximum. Peak forward voltage at 40A is 3.5 volts( unipolar

only)

0.095”

4. Lead temperature at 75^oC=T_L

0.070”

5. Peak pulse current waveform is 10/1000us, with maximum duty

Cycle of 0.01%.

www.mccsemi.com

1 of 9

Revision: 4

2008/12/04

12 3 4 5 6 7...9

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与SMBG85-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBG85TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC PACKAGE-2
SMBG9.0	MICROSEMI	获取价格	SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor
SMBG9.0	VISHAY	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SU
SMBG9.0/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 9V V(RWM), Unidirectional,
SMBG9.0/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN, Transient
SMBG9.0/52-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN, Transient
SMBG9.0/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBG9.0/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBG9.0-51	VISHAY	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
SMBG9.0-52	VISHAY	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

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