SMBG75CTR

更新时间： 2024-10-29 12:59:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBG75CTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-215AA	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	102 V	最小击穿电压：	83.3 V
击穿电压标称值：	92.65 V	最大钳位电压：	134 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-215AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.38 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn90Pb10)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

12 3

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBG75E3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBG75E3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
SMBG75-HE3/52	VISHAY	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
SMBG75HE3/5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBG75TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC PACKAGE-2
SMBG78	VISHAY	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SU
SMBG78	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBG78	MICROSEMI	获取价格	UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT
SMBG78/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBG78-51	VISHAY	获取价格	600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN