是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-215AA |
包装说明: | R-PDSO-G2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 1200 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-215AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 1.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 200 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 1% |
工作测试电流: | 1.9 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBG5956DTRE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 2W, | |
SMBG5956TRE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 20%, 2W, | |
SMBG6.0 | MICROSEMI |
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SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor | |
SMBG6.0 | VISHAY |
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SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SU | |
SMBG6.0/51 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 6V V(RWM), Unidirectional, | |
SMBG6.0/51-E3 | VISHAY |
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DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN, Transient | |
SMBG6.0/55 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBG6.0/TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBG6.0-51 | VISHAY |
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600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN | |
SMBG6.0-52 | VISHAY |
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600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |