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SMAJP4KE12AHE3-TP

更新时间： 2024-11-24 15:51:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	260K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

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SMAJP4KE12AHE3-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.68	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	12.6 V	最小击穿电压：	11.4 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	10.2 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

SMAJP4KE12AHE3-TP 数据手册

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M C C

SMAJP4KE12(C)AHE3

THRU

SMAJP4KE100(C)AHE3

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Transient

Voltage Suppressor

12 to 100 Volts

ꢀ AEC-Q101 Qualified

ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize board space

ꢀ Halogen free

ꢀ Low profile package

ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

400 Wꢀ att

_BRminimum

ꢀ

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ

DO-214AC

ꢀ UL Recognized File # E480232

ꢀ

(SMAJ)(LEAD FRAME)

Unidirectional and bidirectional available,for bidirectional

ꢀ

devices add 'C' suffix to the pn#, i.e.SMAJP4KE12CAHE3

ꢀ

Mechanical Data

ꢀ Manufacturing code added for better tracking

ꢀ CASE:JEDEC DO214AC

ꢀ Terminals:solderable per MIL-STD-750,Method 2026

ꢀ

Polarity: Color band denotes positive end (cathode)

except Bidirectional

ꢀ

Maximum soldering temperature: 260^oC for 10 seconds

Typical Thermal Resistance: 100 /W Junction to Ambient

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

I_PP

See Table 1 Note: 1

Peak Pulse Power

P_PP

400W

Note: 1,

DIMENSIONS

Dissipation

INCHES

MIN

.079

.050

.002

---

MIN

2.00

1.27

.05

-55^oC to

DIM

MAX

2.44

1.63

.20

NOTE

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

.096

.064

.008

.02

+175^oC

---

.51

.030

.065

.189

.157

.090

.060

.091

.220

.181

.115

.76

1.52

2.32

5.59

4.60

2.92

1.65

4.80

4.00

2.25

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.090”

0.085”

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

2. Mounted on 5.0mm²copper pads to each terminal.

0.070"

www.mccsemi.com

1 of 5

Revision:C

2016/08/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMAJP4KE12AHE3-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
SMAJP4KE12A-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
SMAJP4KE12AP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMAJP4KE12AQ	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE12A-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMAJP4KE12ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMAJP4KE12CA	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE12CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE12CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE12CAHE3	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;

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