SMAJP4KE130AP

更新时间： 2024-11-27 13:13:35

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	293K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMAJP4KE130AP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.59
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	137 V
最小击穿电压：	124 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	111 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

SMAJP4KE130AP 数据手册

SMAJP4KE6.8(C)A

THRU

SMAJP4KE550(C)A

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize

Transient

Voltage Suppressor

6.8 to 550 Volts

boar d space

ꢀ Low profile package

ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

400 Wꢀ att

V_BRminimum

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ

DO-214AC

ꢀ UL Recognized File # E331408

ꢀ

(SMAJ)(LEAD FRAME)

ꢀ

Mechanical Data

ꢀ

CASE: JEDEC DO-214AC

Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotespositive end (cathode)

except Bidirectional

Maximum soldering temperature: 250^oC for 10 seconds

ꢀ

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

I_PP

See Table 1 Note: 1

Peak Pulse Power

P_PP

400W

40A

Note: 1,

Note: 3

DIMENSIONS

Dissipation

INCHES

MIN

.079

.050

.002

---

MIN

2.00

1.27

.05

DIM

MAX

2.44

1.63

.20

NOTE

Peak Forward Surge

Current

I_FSM)

.096

.064

.008

.02

---

.51

-55^oC to

+150^oC

.030

.065

.189

.157

.090

.060

.091

.220

.181

.115

.76

1.52

2.32

5.59

4.60

2.92

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

1.65

4.80

4.00

2.25

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.090”

MAX

0.058 ”

MIN

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

2. Mounted on 5.0mm²copper pads to each terminal.

3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute

maximum.

0.070"

MIN

www.mccsemi.com

1 of 5

Revision: B

2011/09/16

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SMAJP4KE130AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMAJP4KE130AQ	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE130A-T	MCC	获取价格	Transient Suppressor,
SMAJP4KE130A-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE130A-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE130ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE130ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 111V V(RWM), Unidirectional,
SMAJP4KE130CA	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE130CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMAJP4KE130CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMAJP4KE130CAHE3	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;

与SMAJP4KE130AP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMAJP4KE130AP

SMAJP4KE130AP 技术参数

SMAJP4KE130AP 数据手册

与SMAJP4KE130AP相关器件

与SMAJP4KE130AP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMAJP4KE130AP

SMAJP4KE130AP 技术参数

SMAJP4KE130AP 数据手册

与SMAJP4KE130AP相关器件

与SMAJP4KE130AP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？