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SMAJ5956BE3

更新时间: 2024-11-09 12:04:51
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 473K
描述
Silicon 3.0 Watt Zener Diode

SMAJ5956BE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-J2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.73Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-J2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
标称参考电压:200 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:1.9 mABase Number Matches:1

SMAJ5956BE3 数据手册

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