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SM36-02HTG

更新时间： 2024-02-19 10:50:32
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 1019K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 36V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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SM36-02HTG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：1.7最大击穿电压：52 V
最大钳位电压：62 V配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：36 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SM36-02HTG 数据手册

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TVS Diode Arrays (SPA® Diodes)  
General Purpose ESD Protection - SM05 through SM36  
SM15 Electrical Characteristics (TOP=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
VRWM  
VR  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Reverse Standoff Voltage  
Reverse Voltage Drop  
Leakage Current  
IR≤1μA  
15.0  
V
V
IR=1mA  
VR=15V  
16.7  
ILEAK  
1.0  
μA  
V
IPP=1A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
24.0  
±0.0  
Clamp Voltage1  
VC  
IPP=10A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
TLP, tp=100ns, I/O to GND  
V
Dynamic Resistance2  
RDYN  
Ipp  
0.±0  
Ω
Peak Pulse Current  
(8/20µs)1  
tp=8/20µs  
12.0  
A
IEC 61000-4-2 (Contact Discharge)  
±±0  
±±0  
kV  
ESD Withstand Voltage1  
Diode Capacitance1  
VESD  
IEC 61000-4-2 (Air Discharge)  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
kV  
pF  
pF  
CI/O-GND  
CI/O-I/O  
100  
75  
SM24 Electrical Characteristics (TOP=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
VRWM  
VR  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Reverse Standoff Voltage  
Reverse Voltage Drop  
Leakage Current  
IR≤1μA  
24.0  
V
V
IR=1mA  
VR=24V  
26.7  
ILEAK  
1.0  
μA  
V
IPP=1A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
±6.0  
42.0  
Clamp Voltage1  
VC  
IPP=5A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
TLP, tp=100ns, I/O to GND  
V
Dynamic Resistance2  
RDYN  
Ipp  
0.50  
Ω
Peak Pulse Current  
(8/20µs)1  
tp=8/20µs  
7. 0  
A
IEC 61000-4-2 (Contact Discharge)  
±±0  
±±0  
kV  
ESD Withstand Voltage1  
Diode Capacitance1  
VESD  
IEC 61000-4-2 (Air Discharge)  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
kV  
pF  
pF  
CI/O-GND  
CI/O-I/O  
65  
50  
SM36 Electrical Characteristics (TOP=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
VRWM  
VR  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Reverse Standoff Voltage  
Reverse Voltage Drop  
Leakage Current  
IR≤1μA  
±6.0  
V
V
IR=1mA  
VR=±6V  
40.0  
ILEAK  
1.0  
μA  
V
IPP=1A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
52.0  
62.0  
Clamp Voltage1  
VC  
IPP=4A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
TLP, tp=100ns, I/O to GND  
V
Dynamic Resistance2  
RDYN  
Ipp  
0.65  
Ω
Peak Pulse Current  
(8/20µs)1  
tp=8/20µs  
5.0  
A
IEC 61000-4-2 (Contact Discharge)  
±±0  
±±0  
kV  
ESD Withstand Voltage1  
Diode Capacitance1  
VESD  
IEC 61000-4-2 (Air Discharge)  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
kV  
pF  
pF  
CI/O-GND  
CI/O-I/O  
50  
40  
Note:  
1
Parameter is guaranteed by design and/or component characterization.  
Transmission Line Pulse (TLP) with 100ns width and 200ps rise time.  
2
© 2016 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
7
Revised: 01/23/18  
123456

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