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SM36-02HTG

更新时间： 2024-01-08 09:01:49
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 1019K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 36V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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SM36-02HTG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：1.7最大击穿电压：52 V
最大钳位电压：62 V配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：36 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SM36-02HTG 数据手册

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TVS Diode Arrays (SPA® Diodes)  
General Purpose ESD Protection - SM05 through SM36  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
PPk  
Parameter  
Value  
Units  
W
400  
Peak Pulse Power (tp=8/20μs)  
OperatingTemperature  
StorageTemperature  
TOP  
-40 to 125  
-55 to 150  
°C  
TSTOR  
°C  
Notes:  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the component. This is a stress only rating and  
operation of the component at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
SM05 Electrical Characteristics (TOP=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
VRWM  
VR  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Reverse Standoff Voltage  
Reverse Voltage Drop  
Leakage Current  
IR≤1μA  
5.0  
V
V
IR=1mA  
VR=5V  
6.0  
ILEAK  
1.0  
9.8  
μA  
V
IPP=1A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
Clamp Voltage1  
VC  
IPP=10A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
TLP, tp=100ns, I/O to GND  
1±.0  
V
Dynamic Resistance2  
RDYN  
Ipp  
0.19  
Ω
Peak Pulse Current  
(8/20µs)1  
tp=8/20µs  
24.0  
A
IEC 61000-4-2 (Contact Discharge)  
±±0  
±±0  
kV  
ESD Withstand Voltage1  
Diode Capacitance1  
VESD  
IEC 61000-4-2 (Air Discharge)  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
kV  
pF  
pF  
CI/O-GND  
CI/O-I/O  
400  
±50  
SM12 Electrical Characteristics (TOP=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
VRWM  
VR  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Reverse Standoff Voltage  
Reverse Voltage Drop  
Leakage Current  
IR≤1μA  
12.0  
V
V
IR=1mA  
VR=12V  
1±.±  
ILEAK  
1.0  
μA  
V
IPP=1A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
18.5  
22.5  
Clamp Voltage1  
VC  
IPP=10A, tp=8/20µs, Pin 1 or Pin 2 to Pin ±  
TLP, tp=100ns, I/O to GND  
V
Dynamic Resistance2  
RDYN  
Ipp  
0.25  
Ω
Peak Pulse Current  
(8/20µs)1  
tp=8/20µs  
17. 0  
A
IEC 61000-4-2 (Contact Discharge)  
±±0  
±±0  
kV  
ESD Withstand Voltage1  
Diode Capacitance1  
VESD  
IEC 61000-4-2 (Air Discharge)  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
Reverse Bias=0V, f=1MHz  
kV  
pF  
pF  
CI/O-GND  
CI/O-I/O  
150  
120  
© 2018 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
6
Revised: 01/23/18  
123456

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