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SKUT115/12V2

更新时间： 2024-12-01 15:51:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
3页 169K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 127000mA I(T), 1200V V(RRM), 3 Element

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SKUT115/12V2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：0螺丝端子的描述：0
最大维持电流：200 mA最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：1250 A元件数量：3
最大通态电流：127000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
重复峰值反向电压：1200 V子类别：TRIACs
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKUT115/12V2 数据手册

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SKUT 115/12 V2  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Chip  
Values  
Unit  
Ts = 25 °C  
Ts = 85 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 130 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 130 °C  
IT(AV)  
127  
71  
A
A
A
sinus 180°  
ITSM  
1500  
1250  
11250  
7813  
1300  
1200  
1200  
50  
10 ms  
A
i2t  
A²s  
A²s  
V
V
V
A/µs  
V/µs  
°C  
10 ms  
SEMIPONT® 5  
VRSM  
VRRM  
VDRM  
(di/dt)cr  
(dv/dt)cr  
Tj  
Three phase antiparallel  
thyristor module  
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C  
500  
-40 ... 125  
Module  
Tstg  
Visol  
SKUT 115/12 V2  
Features  
-40 ... 125  
3000  
3600  
°C  
V
V
1 min  
1 s  
ac; 50Hz; r.m.s  
• Compact design  
Characteristics  
• Two screws mounting  
• Heat ransfer and isolation through  
direct copper board (Low Rth)  
• Low resistance in steady-state and  
high reliability  
Symbol Conditions  
Chip  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj = 25 °C, IT = 150 A  
VT  
1.6  
0.9  
5.00  
20  
V
V
m  
mA  
µs  
• High surge currents  
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C, VRD=VRRM  
Tj = 25 °C, IG = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
VD = 0.67 * VDRM  
Tj = 130 °C  
VT(TO)  
rT  
IDD;IRD  
tgd  
tgr  
tq  
• Glass passivated thyrsitor chips  
• UL recognized, file no. E 63 532  
1
2
150  
Typical Applications*  
• Soft starter  
• Light control(e.g. studios, theaters)  
• Temperature control (e.g. oven,  
chemical processes)  
µs  
µs  
Tj = 25 °C  
IH  
200  
600  
mA  
mA  
V
mA  
V
mA  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
Tj = 25 °C, RG = 33   
Tj = 25 °C, d.c.  
Tj = 25 °C, d.c.  
IL  
VGT  
IGT  
3
150  
Remarks  
• IRMS=105A , for W3C application,  
sin.180° and TS=85°C  
Tj = 130 °C, d.c.  
Tj = 115 °C, d.c.  
VGD  
IGD  
0.25  
0.32  
6
per thyristor  
per module  
per thyristor  
per module  
per thyristor  
per module  
Rth(j-s)  
Rth(j-s)  
Rth(j-s)  
Rth(j-s)  
Rth(j-s)  
Rth(j-s)  
continuous DC  
sin. 180°  
rec. 120°  
Module  
Rth(c-s)  
K/W  
K/W  
Nm  
Nm  
m/s²  
g
Ms  
Mt  
a
to heatsink  
2.25  
2.5  
w
75  
UT  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 05.04.2013  
1
123

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与SKUT115/12V2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKUT115/16 SEMIKRON

获取价格

 		Three phase antiparallel Thyristor Module
SKUT115/16T SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 105A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 6 Element, CASE G6
SKUT115/16TV2 SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 127000mA I(T), 1600V V(RRM), 3 Element
SKUT115/16V2 SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 127000mA I(T), 1600V V(RRM), 3 Element
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