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SKT240F10DT

更新时间： 2024-11-09 19:37:19

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	314K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 450A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

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SKT240F10DT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.81	其他特性：	FAST
标称电路换相断开时间：	20 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us	最大直流栅极触发电流：	250 mA
最大直流栅极触发电压：	4 V	最大维持电流：	400 mA
JEDEC-95代码：	TO-200AB	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
JESD-609代码：	e2	最大漏电流：	70 mA
通态非重复峰值电流：	4500 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	240000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	450 A
重复峰值关态漏电流最大值：	70000 µA	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKT240F12DT	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 450A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
SKT240F12DU	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 450A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
SKT240F14DV	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 450A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E
SKT24-3	SEMIKRON	获取价格	THYRISTOR
SKT250	LIUJING	获取价格	可控硅、晶闸管
SKT250	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor
SKT250/04C	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
SKT250/04D	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor
SKT250/06C	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 E
SKT250/08D	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor