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SKT10.3QUZGBOND. PDF预览

SKT10.3QUZGBOND.

更新时间： 2024-11-24 19:50:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 199K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 125000mA I(T), 1600V V(DRM)

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SKT10.3QUZGBOND. 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75标称电路换相断开时间：150 µs
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：100 mA
最大直流栅极触发电压：1.98 V最大维持电流：220 mA
通态非重复峰值电流：1250 A最大通态电压：1.2 V
最大通态电流：125000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKT10.3QUZGBOND. 数据手册

 浏览型号SKT10.3QUZGBOND.的Datasheet PDF文件第2页 
SKT 10,3 Qu ZG bond.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C, IR = 0.2 mA  
VRRM  
VDRM  
IT(AV)  
ITSM  
i2t  
1600  
1600  
95  
V
V
Tj = 25 °C, ID = 0.2 mA  
Tc = 80 °C, Tj = 130 °C  
A
Tj = 130 °C, 10 ms, sin 180°  
Tj = 130 °C, 10 ms, sin 180°  
1250  
7810  
130  
A
A2s  
Tjmax  
°C  
THYRISTOR  
Electrical Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IT(DC) = 125 A  
Tj = 130 °C, IT = 105 A  
VT  
1.2  
0.85  
3.4  
V
V
VRRM = 1600 V  
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 115 °C  
Tj = 130 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 25 °C  
VT(TO)  
rT  
Size: 10,3 mm x 10,3 mm  
mΩ  
mA  
V
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
100  
1.98  
Central gate  
SKT 10,3 Qu ZG bond.  
6
mA  
V
0.25  
220  
550  
mA  
mA  
Features  
• high current density due to double  
mesa technology  
IL  
• high surge current  
Dynamic Characteristics  
Symbol Conditions  
• compatible to thick wire bonding  
• compatible to all standard solder  
processes  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C  
tq  
150  
µs  
Typical Applications*  
• conrolled rectifier circuits  
• solid state relays  
(di/dt)cr  
(dv/dt)cr  
100  
A/µs  
V/µs  
1000  
Thermal Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj  
-40  
-40  
130  
130  
255  
°C  
°C  
Tstg  
Tsolder  
°C  
Rth(j-c)  
Semipack 1 assembly  
0.31  
K/W  
Mechanical Characteristics  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Raster  
size  
10.3 x 10.3  
106.1  
mm2  
mm2  
Area total  
Anode  
solderable (Ag/Ni)  
Gate and  
Cathode  
bondable (Al)  
Wire bond  
Package  
Al,diameter ≤ 500µm  
tray  
Chips /  
Package  
49  
pcs  
SKT  
© by SEMIKRON  
Rev. 1 – 19.02.2010  
1
12

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与SKT10.3QUZGBOND.相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT10/06C SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 600V V(DRM)
SKT10/06D SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele
SKT100/06DUNF SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele

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