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SKT100/06DUNF

更新时间： 2024-11-24 19:54:35
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 218K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209, HERMETIC SEALED, METAL, TO-94, 3 PIN

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SKT100/06DUNF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-94包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：250 mAJEDEC-95代码：TO-209
JESD-30 代码：O-MUPM-H3JESD-609代码：e2
最大漏电流：30 mA通态非重复峰值电流：2000 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：100000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：175 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT100/06DUNF 数据手册

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Thyristors  
VRSM VRRM  
ITRMS (maximum values for continuous operation)  
dv  
(dt)  
VDRM  
110 A  
135 A  
175 A  
cr  
SKT 55  
SKT 80  
SKT 100  
ITAV (sin. 180; Tcase = 80 °C)  
V
V
V/µs  
70 A  
86 A  
110 A  
500  
700  
900  
400  
600  
800  
500  
500  
500  
SKT 55/04 D  
SKT 55/06 D  
SKT 55/08 D  
SKT 55/12 E  
SKT 55/14 E  
SKT 55/16 E  
–
SKT 100/04 D  
SKT 100/06 D*  
SKT 100/08 D  
SKT 100/12 E*  
SKT 100/14 E*  
SKT 100/16 E*  
SKT 80/06 D*  
SKT 80/08 D  
SKT 80/12 E*  
SKT 80/14 E  
SKT 80/16 E*  
1300 1200 1000  
1500 1400 1000  
1700 1600 1000  
1900 1800 1000  
SKT 55/18 E  
♦
SKT 80/16 E  
♦
SKT 100/18 E♦  
Symbol Conditions  
SKT 55  
SKT 80 SKT 100 Units  
ITAV  
sin. 180; (Tcase = . . . °C)  
55  
(92)  
80  
(85)  
100  
(85)  
A
°C  
Features  
ITSM  
i2t  
Tvj  
=
25 °C; 10 ms  
1300  
1100  
1700  
1500  
14 500  
11 000  
2000  
1750  
A
A
•
Hermetic metal cases with  
ceramic insulators  
Threaded studs ISO M12  
or  
T
vj = 130 °C; 10 ms  
Tvj  
=
25 °C; 8,35 ... 10 ms 8 500  
20 000 A2s  
15 000 A2s  
•
Tvj = 130 °C; 8,35 ... 10 ms 6 000  
UNF 1/2-20  
Interchangeable with  
international standard cases  
tgd  
Tvj 25 °C;IG = 1 A;  
=
•
diG/dt = 1 A/µs  
typ. 1  
typ. 2  
50  
µs  
µs  
.
tgr  
VD = 0,67 VDRM  
Typical Applications  
(di/dt)cr  
f
=
=
=
50 . . . 60 Hz  
25 °C  
25 °C  
A/µs  
•
•
•
DC motor control  
(e. g. for machine tools)  
Controlled rectifiers  
(e. g. for battery charging)  
AC controllers  
IH  
IL  
tq  
Tvj  
Tvj  
typ. 150; max. 250  
typ. 300; max. 600  
100  
mA  
mA  
µs  
Tvj = 130 °C; typ.  
VT  
Tvj 25 °C; (IT = ...); max.  
=
1,8  
(200)  
0,9  
4
25  
2,25  
1,75  
(300)  
1,0  
2,4  
V
A
V
mΩ  
mA  
(e. g. for temperature control)  
(300)  
1,2  
4
VT(TO) Tvj = 130 °C  
rT Tvj = 130 °C  
DD, IRD Tvj = 130 °C;  
V
DD = VDRM  
I
30  
30  
VRD = VRRM  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C  
25 °C  
3
V
150  
0,25  
10  
mA  
V
mA  
Tvj = 130 °C  
Tvj = 130 °C  
Rthjc  
cont.  
0,40  
0,25  
0,28/0,31  
0,08  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
sin. 180/rec. 120  
SI units (US units)  
0,47/0,53  
Rthch  
Tvj  
Tstg  
– 40 ... +130  
– 55 ... +150  
°C  
M
a
w
10 (90 lb.in.)  
5 . 9,81  
Nm  
m/s2  
g
65  
80  
Case  
B 5  
♦
available in limited quantities  
B 3 – 17  
* Available with UNF thread 1/2-20 UNF2A; e.g. SKT 80/06 D UNF  
© by SEMIKRON 0895  
123456

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与SKT100/06DUNF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT100/12C SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 157A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
SKT100/12E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
SKT100/14C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1400V V(DRM)
SKT100/14E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E
SKT100/16C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1600V V(DRM)
SKT100/16E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E
SKT100/16EUNF SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E
SKT100/18E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 E
SKT1000 SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT1000/04D SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1570A I(T)RMS, 1000000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E

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