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SKR136F08

更新时间： 2024-01-18 15:09:21
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 358K
描述
Fast Recovery Rectifier Diode

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SKR136F08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, METAL, CASE E31, 1 PIN
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76其他特性：LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.95 V
JESD-30 代码：O-MUPM-D1JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：2100 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：110 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向电流：1000 µA
最大反向恢复时间：1.9 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKR136F08 数据手册

 浏览型号SKR136F08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKR136F08的Datasheet PDF文件第3页 
SKN 136F THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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Fast Recovery Rectifier  
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SKN  
SKR  
1
20-04-2004 NOS  
© by SEMIKRON  
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