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SKR16

更新时间： 2024-01-13 18:52:16

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		二极管
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2页	191K
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DIODE

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SKR16 数据手册

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SKR 16,3 x 18,2 Qu bond

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.4 mA

V_RRM

I_F(AV)

I²t

1600

305

V

A

A²s

T_c= 80 °C, T_j= 150 °C

T_j= 150 °C, 10 ms, sin 180°

130050

6600

5100

150

T_j= 25 °C

10 ms

I_FSM

A

sin 180°

T_j= 150 °C

A

T_jmax

°C

DIODE

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

I_F(DC)= 365 A

T_j= 25 °C, V_RRM

T_j= 120 °C, V_RRM

I_R

0.4

2.2

mA

mA

V

V_RRM= 1600 V

Size: 16,3 mm x 18,2 mm

T_j= 25 °C, I_F= 320 A

T_j= 125 °C, I_F= 320 A

T_j= 125 °C

V_F

1

1.21

1.1

0.9

V

V_(TO)

r_T

0.83

0.5

V

T_j= 125 °C

mΩ

µs

SKR 16,3 x 18,2 Qu bond

Features

• high current density due to mesa

technology

T_j= 25 °C, ± 1 A

t_rr

49

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

T_j

-40

-40

150

150

250

320

°C

°C

• high surge current

• compatible to thick wire bonding

• compatible to all standard solder

processes

T_stg

T_solder

T_solder

R_th(j-c)

10 min.

°C

5 min.

°C

Typical Applications

Semipack 2 assembly

0.185

K/W

• uncontrolled rectifier bridges

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

16,3 x 18,2

mm

Area total

Anode

296,66

mm²

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, diameter ≤ 500 µm

tray

Chips /

Package

20

pcs

SKR

© by SEMIKRON

Rev. 0 – 02.10.2009

1

12

中文翻译

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与SKR16相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKR16_10	SEMIKRON	获取价格	DIODE
SKR18	SEMIKRON	获取价格	DIODE
SKR18.2QUBOND	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 320A, 1600V V(RRM),
SKR18_10	SEMIKRON	获取价格	DIODE
SKR2	SEMIKRON	获取价格	DIODE
SKR20	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode,
SKR20/02	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, CA
SKR20/04	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode
SKR20/08	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, CA
SKR20/12	SEMIKRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 1200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, C

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