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SKKT213

更新时间： 2024-11-29 04:04:27

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		可控硅二极管
页数	文件大小	规格书
7页	657K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKT213 数据手册

SEMIPACK^®3

Thyristor / Diode Modules

V_RSMV_RRM(dv/

V_DRMdt)_cr

I_TRMS(maximum values for continuous operation)

370 A

420 A

370 A

420 A

I_TAV(sin. 180; T_case= 85 °C)

V/µs

230 A

253 A

SKKT

230 A

SKKH

250 A

SKKH

253/08 D

253/12 E

253/14 E

253/16 E

253/18 E

–

SKKT 213

SKKT 253

SKKH 213

SKKH 253

SKKT

900 800 500

1300 1200 1000

1500 1400 1000

1700 1600 1000

1900 1800 1000

2100 2000 1000

2300 2200 1000

213/08 D

213/12 E

213/14 E

213/16 E

213/18 E

213/20 E

213/22 E

253/08 D

253/12 E

253/14 E

253/16 E

253/18 E

–

213/12 E

213/14 E

213/16 E

213/18 E

213/20 E

213/22 E

–

SKKT 213 SKKT 253

SKKH 213 SKKT 253

Symbol Conditions

I_TAVsin. 180; (T_case= ...)

Units

213 (90°C)

253 (85°C)

I_DB2/B6 _amb= 35 °C

354/456

387/502

I_RMS

W1/W3 P 16/200 F

425/3 x 360 465/3 x 400

8 500

7 500

361 000

281 000

9 000

8 000

405 000

320 000

A²s

I_TSM

i²t

t_gd

t_gr

T_vj= 25 °C; 10 ms

T_vj= 130 °C; 10 ms

T_vj= 25 °C; 8,3 ... 10 ms

T_vj= 130 °C; 8,3 ... 10 ms

SKKT

SKKH

T_vj= 25 °C; I_G= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

V_D= 0,67 ^.V_DRM

µs

Features

(di/dt)_cr

T_vj= 130 °C

T_vj= 25 °C; typ. / max.

T_vj= 25 °C; R_G= 33 Ω; typ. / max.

250

A/µs

µs

• Heat transfer through aluminium

oxide ceramic isolated metal

baseplate

t_q

I_H

I_L

typ. 50 ... 150

150 / 500

0,3 / 2

• Chip soldered on direct copper

bonded Al₂O₃ceramic

• Thyristor with amplifying gate

• UL recognized, file no. E 63 532

V_T

V_T(TO)

r_T

T_vj= 25 °C; I_T= 750 A

T_vj= 130 °C

T_vj= 130 °C; V_RD= V_RRM

V_DD= V_DRM

max. 1,9

0,95

1,3

max. 1,7

0,85

mΩ

1,1

I_DD; I_RD

Typical Applications

V_GT

I_GT

V_GD

I_GD

T_vj= 25 °C; d.c.

T_vj= 130 °C; d.c.

• DC motor control (e.g. for

machine tools)

• Temperature control (e.g. for

ovens, chemical processes)

• Professional light dimming

(studios, theaters)

200

0,25

R_thjc

cont.

0,11 / 0,055

0,115 / 0,057

0,125 / 0,0625

0,08 / 0,04

°C/W

°C

sin. 180

rec. 120

per thyristor /

per module

R_thch

T_vj,T_stg

– 40 ... + 130

V_isol

M₁

M₂

a. c. 50 Hz; r.m.s; 1 s/1 min

to heatsink

SI (US) units

to terminals

3600 / 3000

5 (44 lb. in.) + 15 %¹⁾

9 (80 lb. in.) + 15 %²⁾

5 ^.9,81

m/s²

approx.

430

Case

→ page B 1 – 86

SKKT: A 43 SKKH: A 56

¹⁾See the assembly instructions

²⁾The screws must be lubricated

0898

B 1 – 81

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKKT213/08D	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 370A I(T)RMS, 213000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele
SKKT213/08E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT213/12E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT213/14E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT213/16E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT213/18E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT213_07	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT215/16E	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
SKKT215/18E	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
SKKT250	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules

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