SKKT213/08D

更新时间： 2024-11-29 13:13:31

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	1125K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 370A I(T)RMS, 213000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CASE A43, SEMIPACK 3, 7 PIN

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SKKT213/08D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	150 µs
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	500 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
JESD-609代码：	e2	最大漏电流：	50 mA
通态非重复峰值电流：	8500 A	元件数量：	2
端子数量：	7	最大通态电流：	213000 A
最高工作温度：	130 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	370 A
重复峰值关态漏电流最大值：	50000 µA	断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SKKT213/08D 数据手册

SKKT 213, SKKH 213 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE

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Symbol Conditions

Values

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Features

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SKKT

SKKH

01-03-2007 GIL

12 3 4

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