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SKFT150/08DS

更新时间： 2024-01-21 14:46:54
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 288K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 150000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CERAMIC, CASE A25, SEMIPACK-7

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SKFT150/08DS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.82其他特性：FAST
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：15 µs
配置：SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：250 mA最大直流栅极触发电压：4 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：400 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X7
最大漏电流：80 mA通态非重复峰值电流：6500 A
元件数量：2端子数量：7
最大通态电流：150000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：350 A重复峰值关态漏电流最大值：80000 µA
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKFT150/08DS 数据手册

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SEMIPACK®  
Fast Thyristor/ Diode  
Modules  
3
VDRM  
VRRM  
tq  
(Tvj  
125 °C)  
ITRMS (maximum values for continuous operation)  
350 A  
=
I
TAV (sin. 180; Tcase = 76 °C; 50 Hz)  
V
µs  
150 A  
SKFT 150  
SKFH 150  
800  
1000  
15  
20  
SKFT 150/08 DS  
SKFT 150/08 DT  
SKFH 150/08 DS  
SKFH 150/08 DT  
15  
SKFT 150/10 DS 1)  
–
Thyristor data  
SKFT 150  
SKFH 150  
Units  
Symbol Conditions  
ITM  
sin. 180; Tcase = 60 °C; 500 Hz  
610  
A
ITSM  
Tvj  
vj = 125 °C; 10 ms  
Tvj 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
vj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms  
=
25 °C; 10 ms  
6 500  
5 500  
A
A
T
i2t  
=
211 000  
151 000  
A2  
s
T
A2 s  
SKFT  
SKFH  
tgd  
tgr  
Tvj  
=
25 °C; Ig = 1 A; diG/dt = 1 A/µs  
1
1
µs  
.
VD = 0,67 VDRM  
µs  
Features  
(di/dt)cr non-repetitive/f = 50 . . . 60 Hz  
1000 / 400  
500  
A/µs  
V/µs  
•
Heat transfer through ceramic  
isolated metal baseplate  
Interdigitated amplifying gates  
Precious metal pressure  
contacts  
(dv/dt)cr Tvj = 125 °C  
IH  
IL  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C; typ./max.  
25 °C; RG = 33 Ω; typ./max.  
200 / 400  
1 / 2  
mA  
A
•
•
VT  
Tvj = 125 °C; IT = 1200 A; max.  
2,45  
1,9  
0,4  
80  
V
V
•
UL recognition, file no. E63 532  
VT(TO) Tvj = 125 °C  
Typical Applications  
rT  
Tvj = 125 °C  
mΩ  
mA  
•
•
•
•
•
•
•
Self-commutated inverters  
DC choppers  
AC motor speed control  
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies  
Electronic welders  
ID; IR  
Tvj = 125 °C; VDRM; VRRM  
VGT  
IGT  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C  
25 °C  
4
V
250  
0,25  
10  
mA  
V
VGD  
IGD  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
General power switching  
applications  
mA  
Fast rectifier diode data  
trr  
Tvj = 25 °C; IF = 1 A;  
– diF/dt = 15 A/µs; VR = 30 V  
2
µs  
Qrr  
IRM  
Tvj = 125 °C; IF = 150 A;  
– diF/dt = 100 A/µs; VR = 100 V  
250  
175  
µC  
A
IR  
Tvj = 125 °C; VR = VRRM  
80  
mA  
VF  
Tvj  
=
25 °C; IF = 1200 A; max.  
1,85  
1,25  
0,5  
V
V
V(TO)  
rT  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
1)  
mΩ  
Available in limited quantities  
© by SEMIKRON  
0895  
B 2 – 53  
1234567

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与SKFT150/08DS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKFT150/08DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 150000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele
SKFT150/10DS SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 150000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E
SKFT150/12DT SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 150000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E
SKFT20/06DU SEMIKRON

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 		Trigger Device
SKFT20/08DU SEMIKRON

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 		Trigger Device
SKFT20/10DS SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 20000mA I(T), 1000V V(RRM)
SKFT20/10DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 20000mA I(T), 1000V V(RRM)
SKFT20/12DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 20000mA I(T), 1200V V(RRM)
SKFT30/06DS SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 30000mA I(T), 600V V(RRM)
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 		Silicon Controlled Rectifier, 30000mA I(T), 600V V(RRM)

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