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SKFT150/12DT

更新时间: 2024-02-26 03:01:17
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
7页 342K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 150000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, CERAMIC, CASE A25, SEMIPACK-7

SKFT150/12DT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数:7
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:FAST
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:20 µs
配置:SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us
最大直流栅极触发电流:250 mA最大直流栅极触发电压:4 V
快速连接描述:2G-2GR螺丝端子的描述:A-K-AK
最大维持电流:400 mAJESD-30 代码:R-XUFM-X7
最大漏电流:80 mA通态非重复峰值电流:6500 A
元件数量:2端子数量:7
最大通态电流:150000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:350 A重复峰值关态漏电流最大值:80000 µA
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKFT150/12DT 数据手册

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