5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SKD100GAL123
SKD100GAL123 PDF预览

SKD100GAL123

更新时间： 2024-11-15 00:04:35
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管斩波器
页数 文件大小 规格书
6页 824K
描述
SEMITRANS® MIGBT Modules SKD 100 GAL 123 DInput bridge B6U with brake chopper

阅读下载

中文翻译

获取价格

SKD100GAL123 数据手册

 浏览型号SKD100GAL123的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKD100GAL123的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKD100GAL123的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SKD100GAL123的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SKD100GAL123的Datasheet PDF文件第6页 
SEMITRANS®  
IGBT Modules  
M
Absolute Maximum Ratings  
Values  
Symbol Conditions 1)  
Units  
SKD 100 GAL 123 D  
Input bridge B6U with  
brake chopper  
VCES  
VCGR  
IC  
1200  
1200  
100 / 90  
V
V
A
RGE = 20 kΩ  
Tcase = 25/80 °C  
ICM  
VGES  
Ptot  
Tj, (Tstg  
Visol  
Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
200 / 180  
± 20  
690 / 125 / 125  
– 40 . . .+150 (125)  
2 500  
A
V
W
°C  
V
per IGBT/D1/D8, Tcase=25 °C  
)
AC, 1 min.  
humidity DIN 40 040  
Class F  
climate  
DIN IEC 68 T.1  
40/125/56  
9)  
Diodes  
IF  
D1-6  
D7  
30  
D8  
30  
60  
9)  
Tcase = 80 °C  
A
A
IFM= – ICM Tcase = 80 °C; tp = 1 ms  
60  
IFSM  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
720  
2600  
350  
600  
350  
600  
A
I2t  
A2s  
7D-Pack = 7 Diodes Pack  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
V(BR)CES VGE = 0, IC = 4 mA  
≥ VCES  
4,5  
–
–
5,5  
0,8  
6
–
6,5  
1,5  
–
V
V
mA  
mA  
nA  
V
VGE(th)  
ICES  
VGE = VCE, IC = 2 mA  
VGE = 0 Tj = 25 °C  
CE = VCES Tj = 125 °C  
V
–
–
–
–
SKD 100 GAL  
IGES  
VGE = 20 V, VCE = 0  
–
300  
VCEsat  
VCEsat  
gfs  
IC = 75 A VGE = 15 V;  
IC = 100 A Tj = 25 (125) °C  
VCE = 20 V, IC = 75 A  
2,5(3,1) 3(3,7)  
2,8(3,6)  
–
–
–
V
S
Features  
31  
• Round main terminals (2 mm  
• Easy drilling of PCB  
)
CCHC  
Cies  
Coes  
Cres  
per IGBT  
VGE = 0  
–
–
–
–
–
5
720  
380  
350  
6,6  
900  
500  
pF  
nF  
pF  
pF  
• Input diodes glass passivated  
• 1400 V PIV  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
• High I2t rating (inrush current)  
• IGBT is latch-up free, homoge-  
neous NPT silicon-structure  
• High short circuit capability,  
self limiting to 6 * Icnom  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
VCC = 600 V  
–
–
–
–
–
–
30  
70  
450  
70  
10  
8
60  
140  
600  
100  
–
ns  
ns  
ns  
ns  
mWs  
mWs  
VGE = + 15 V / - 15 V 3)  
IC = 75 A, ind. load  
RGon = RGoff = 15 Ω  
Tj = 125 °C  
• Fast & soft CAL diodes8)  
• Isolated copper baseplate using  
DCB Direct Copper Bonding  
Technology  
• Large clearance (9 mm) and  
creepage distances (13 mm).  
–
Inverse Diode D78) of brake chopper  
VF = VEC IF = 25 A VGE = 0 V;  
VF = VEC IF = 40 A Tj = 25 (125) °C  
VTO  
rT  
–
–
–
–
–
–
2,0(1,8) 2,5  
2,2(2,1)  
1,1  
25  
(25)  
V
V
V
mΩ  
A
µC  
–
1,2  
44  
–
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
Typical Applications:  
IRRM  
Qrr  
IF = 25 A; Tj = 25 (125) °C2)  
IF = 25 A; Tj = 25 (125) °C2)  
Input rectifier bridge (B6U) with  
brake chopper for PWM inverter  
drives using SEMITRANS  
SKM 75GD123D  
2(4,5)  
–
FWD D8 of "GAL" brake chopper 8)  
VF = VEC IF = 25 A VGE = 0 V;  
VF = VEC IF = 40 A Tj = 25 (125) °C  
–
–
–
–
–
–
2,0 (1,8) 2,5  
2,3 (2,1)  
–
25  
19(25)  
1,5(4,5)  
V
V
V
mΩ  
A
µC  
–
1,2  
44  
–
VTO  
rT  
IRRM  
Qrr  
Tj = 125 °C  
1)  
Tcase = 25 °C, unless otherwise  
Tj = 125 °C  
IF = 25 A; Tj = 25 (125) °C2)  
IF = 25 A; Tj = 25 (125) °C2)  
specified  
IF = – IC, VR = 600 V,  
2)  
–
– diF/dt = 800 A/µs, VGE = 0 V  
Use VGEoff = -5 ... - 15 V  
CAL = Controlled Axial Lifetime  
Thermal Characteristics  
3)  
Rthjc  
Rthjc  
Rthch  
per IGBT / diode D1..6 9)  
per diode D7 / D8  
per module / diode; IGBT  
–
–
–
–
–
0,18 / 1  
1,0 / 1,0  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
8)  
Technology.  
Data D1 - D6, case and  
9)  
– 0,05 / 0,4  
mech. data → B 6 – 232  
by SEMIKRON  
0898  
B 6 – 231  
123456

中文翻译

下载PDF

与SKD100GAL123相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKD100GAL123D SEMIKRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
SKD10120 CELDUC

获取价格

 		DC SOLID STATE RELAY FOR PRINTED CIRCUIT BOARD
SKD10306 CELDUC

获取价格

 		DC SOLID STATE RELAY FOR PRINTED CIRCUIT BOARD
SKD110 SEMIKRON

获取价格

 		Power Bridge Rectifiers
SKD110/02 SEMIKRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 28A, 200V V(RRM), Silicon
SKD110/04 SEMIKRON

获取价格

 		Power Bridge Rectifiers
SKD110/08 SEMIKRON

获取价格

 		Power Bridge Rectifiers
SKD110/12 SEMIKRON

获取价格

 		Power Bridge Rectifiers
SKD110/14 SEMIKRON

获取价格

 		Power Bridge Rectifiers
SKD110/16 SEMIKRON

获取价格

 		Power Bridge Rectifiers

与SKD100GAL123相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证