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SK3G08

更新时间: 2024-11-04 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 396K
描述
Rectifier Diodes

SK3G08 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:2.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V最大反向电流:4 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SK3G08 数据手册

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