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SK35DGDL12T4T PDF预览

SK35DGDL12T4T

更新时间： 2024-01-17 07:40:15
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 917K
描述
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter

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SK35DGDL12T4T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-P22针数：22
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：58 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-P22
元件数量：7端子数量：22
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：2.05 VBase Number Matches：1

SK35DGDL12T4T 数据手册

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SK35DGDL12T4 T CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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Rectifier  
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brake chopper + 3-phase  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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DGDL - T  
1
12-12-2009 DIL  
© by SEMIKRON  
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与SK35DGDL12T4T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SK35-G SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA, PLASTIC,
SK35GB12T4 SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK35GD065ET SEMIKRON

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