是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-P22 | 针数: | 22 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.55 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 58 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | COMPLEX |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-P22 |
元件数量: | 7 | 端子数量: | 22 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 2.05 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SK35DGDL12T7ETE2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMITOP E2 (63x57x12) | |
SK35DGDL12T7ETE2s | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMITOP E2 Solder (63x57x12) | |
SK35E | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | |
SK35F | MDD |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | |
SK35-G | SENSITRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA, PLASTIC, | |
SK35GB12T4 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK35GD065ET | SEMIKRON |
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3-phase bridge inverter | |
SK35GD065ET_07 | SEMIKRON |
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3-phase bridge inverter | |
SK35GD065ET_0702 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK35GD126ET | SEMIKRON |
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3-phase bridge inverter |