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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIR330DP-T1-GE3
SIR330DP-T1-GE3 PDF预览

SIR330DP-T1-GE3

更新时间： 2024-02-16 19:06:18
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 508K
描述
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SIR330DP-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0056 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-C5JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：27.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIR330DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiR330DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, g  
Definition  
35g  
35g  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0056 at VGS = 10 V  
0.0075 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
30  
11.2 nC  
PowerPAK® SO-8  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Synchronous Buck Converter  
- High-Side Switch  
Notebook  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
D
S
2
S
•
•
3
G
4
Server  
D
8
D
G
7
D
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: SiR330DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
35g  
35g  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
22.2b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
17.8b, c  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
70  
35g  
4.5b, c  
20  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L =0.1 mH  
TC = 25 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
W
20  
27.7  
TC = 70 °C  
17.7  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.0b, c  
3.2b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
25  
°C/W  
Steady State  
RthJC  
3.4  
4.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W.  
g. Package limited.  
Document Number: 67089  
S10-2604-Rev. A, 15-Nov-10  
www.vishay.com  
1
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