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SIR-34ST3FL

更新时间： 2024-11-20 20:57:39

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罗姆 - ROHM		光电半导体
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
Infrared LED, 950nm

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SIR-34ST3FL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.6 V	JESD-609代码：	e3
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
峰值波长：	950 nm	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAs	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
视角：	54 deg	Base Number Matches：	1

SIR-34ST3FL 数据手册

SIR-34ST3F

Sensors

Infrared light emitting diode, top view type

SIR-34ST3F

The SIR-34ST3F is a GaAs infrared light emitting diode housed in clear plastic. This device has a high luminous

efficiency and a 950nm spectrum suitable for silicon detectors. It is small and at the same time has a wide radiation angle,

marking it ideal for compact optical control equipment.

zDimensions (Unit : mm)

zApplications

Optical control equipment

Light source for remote control devices

φ3.8 0.3

φ3.5

Notes:

φ3.1 0.2

1. Unspecified tolerance

shall be 0.2.

2. Dimension in parenthesis are

show for reference.

zFeatures

1) Compact (φ3.1mm).

4−0.6

2) High efficiency, high output P^O=8.0mW (IF=50mA).

3) Wide radiation angle θ=27°.

4) Emission spectrum well suited to silicon detectors

(λ^P=950nm).

2− 0.5

5) Good current-optical output linearity.

6) Long life, high reliability.

(2.5)

1 Anode

2 Cathode

zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Forward current

Symbol

Limits

100

Unit

Reverse voltage

Power dissipation

160

∗

Pulse forward current

Operating temperature

0.5

Topr

Tstg

−25 to +85

−40 to +85

°C

Storage temperature

∗ Pulse width=0.1msec, duty ratio 1%

Rev.B

1/3

12 3 4

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