SIHFR9014

更新时间： 2024-10-18 06:11:43

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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SIHFR9014 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A
最大漏极电流 (ID)：	5.1 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFR9014 数据手册

IRFR9014, IRFU9014, SiHFR9014, SiHFU9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9014/SiHFR9014)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Straight Lead (IRFU9014/SiHFU9014)

_gs(nC)

_gd(nC)

3.8

• Available in Tape and Reel

5.1

• P-Channel

Configuration

Single

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

DPAK

IPAK

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

(TO-252)

(TO-251)

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

P-Channel MOSFET

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9014TRLPbF^a

SiHFR9014TL-E3^a

IRFR9014TRL^a

SiHFR9014TL^a

DPAK (TO-252)

IRFR9014TRPbF^a

SiHFR9014T-E3^a

IRFR9014TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9014PbF

SiHFU9014-E3

IRFU9014

IRFR9014PbF

SiHFR9014-E3

IRFR9014

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9014

SiHFR9014T^a

SiHFU9014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 60

V_GS

_C= 25 °C

- 5.1

- 3.2

- 20

Continuous Drain Current

_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

0.020

140

E_AS

I_AR

- 5.1

2.5

E_AR

T_C= 25 °C

P_D

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 4.5

- 55 to + 150

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

°C

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

for 10 s

260^d

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 6.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 5.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91277

S-81394-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SIHFR9014T	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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