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SIF70R750(TO-220&220FP&262&263)

更新时间： 2024-04-09 19:00:27
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深爱 - SISEMIC 开关
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描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

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SIF70R750(TO-220&220FP&262&263) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道超级结功率 MOS 管  
N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET  
电特性（Tc=25C）  
SIF70R750  
●Electronic Characteristics（Tc=25C）  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
漏-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V, ID=250A  
700  
V
VDS =700V,  
VGS =0V, Tj=25C  
VDS =700V,  
1
A  
A  
漏-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
50  
VGS =0V, Tj=125C  
栅极漏电流  
Gate-body Leakage  
Current (VDS = 0)  
IGSS  
VGS =±30V  
±100  
nA  
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
漏-源导通电阻  
Static Drain-source On Resistance  
跨导  
VGS(TH)  
RDS(ON)  
gfs  
VGS=VDS, ID=250A  
2
3
4
V
Ω
S
VGS =10V, ID=3.5A  
0.65  
4.7  
0.75  
VDS =10V, ID=3.5A  
Forward Transconductance  
输入电容  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
459  
33.5  
1.44  
6.5  
Input Capacitance  
输出电容  
Output Capacitance  
VGS = 0V, VDS = 50V  
F = 1.0MHZ  
pF  
反向传输电容  
Reverse transfer Capacitance  
栅极电荷  
Total Gate Charge  
nC  
nC  
nC  
Ω
ID =7.0A, VDS = 20V  
VGS = 10V  
栅源电荷  
Gate-to-Source Charge  
栅漏电荷  
Gate-to-Drain Charge  
栅电阻  
Qgs  
Qgd  
RG  
2.95  
0.85  
3.5  
f=1MHz open drain  
Intrinsic Gate Resistance  
开启延迟  
Turn -on Delay Time  
上升时间  
Turn -on Rise Time  
关断延迟  
Turn -Off Delay Time  
下降时间  
Turn -Off Fall Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
Td(on)  
tr  
17  
10.1  
28.9  
23.6  
VDD=400V, ID =4A  
RG=25Ω VGS=10V  
Td(off)  
tf  
二极管正向电流  
Continuous Diode Forward Current  
二极管正向压降  
ISD  
VSD  
trr  
TC=25°C  
5.0  
1.4  
A
V
Tj=25°C, Isd=7A  
VGS =0V  
1
Diode Forward Voltage  
反向恢复时间  
Reverse Recovery Time  
212  
1.7  
ns  
uC  
VR=400V  
Tj=25°C,Is=4.0A  
di/dt=100A/μs  
反向恢复电荷  
Reverse Recovery Charge  
Qrr  
反向恢复电流峰值  
Peak Reverse Recovery Current  
Irrm  
14.2  
A
注释(Notes):  
1
脉冲宽度：以最高节温为限制  
Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
EAS测试条件：VDD=100V RG=25Ω L=10mH, TJ=25℃  
EAS Test condition: VDD=100V RG=25Ω L=10 mH, TJ=25℃  
②
Si semiconductors 2017.03  
2
1234567...9

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