Datasheet > SID200N12

SID200N12

更新时间： 2024-11-09 00:02:03

品牌	Logo	应用领域
SIRECTIFIER		晶体双极型晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	457K
描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology).

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SID200N12 数据手册

SID200N12

NPT IGBT Modules

Dimensions in mm (1mm = 0.0394")

T C, unless otherwise specified

= 25^o

Absolute Maximum Ratings

Symbol

IGBT

Conditions

Units

Values

1200

CES

= 25(80)^o

200(180)

400(360)

= 25(80)^oC, tP =1ms

CRM

GES

Vj,(Tstg

isol

+20

^oC

)

TOPERATION < Tstg

40...+150(125)

2500

AC, 1min

Inverse Diode

= 25(80)^o

= 25(80)^oC, tP =1ms

200(130)

400(360)

1450

IF = -IC

IFRM

tP =10ms; sin.;Tj=150^oC

IFSM

Freewheeling diode

= 25(80)^o

= 25(80)^oC, tP =1ms

260(180)

400(360)

IF = -IC

IFRM

tP =10ms; sin.;Tj=150^oC

IFSM

1800

中文翻译

下载PDF

与SID200N12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SID200S12	SIRECTIFIER	获取价格	绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transist
SID2010	SANKEN	获取价格	3phi Round Infrared LED
SID2010_08	SANKEN	获取价格	3phi Round Infrared LEDs
SID2010C	SANKEN	获取价格	3phi Round Infrared LED
SID20N06-90I	SECOS	获取价格	N-Channel Enhancement MOSFET
SID2K10C	SANKEN	获取价格	3phi Round Infrared LED
SID300	SANKEN	获取价格	5phi Round Infrared LED
SID300N12	SIRECTIFIER	获取价格	绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transist
SID300S12	SIRECTIFIER	获取价格	绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transist
SID303BR	SANKEN	获取价格	Infrared LEDs