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SI6968BEDQ

更新时间： 2024-02-04 15:01:40

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威世 - VISHAY		/
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5页	47K
描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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SI6968BEDQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.3
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI6968BEDQ 数据手册

Si6968BEDQ

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

Threshold Voltage

0.4

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

= 250 mA

0.2

-0.0

-0.2

-0.4

-0.6

= 6.5 A

-50

-25

100 125 150

- Gate-to-Source Voltage (V)

- Temperature (_C)

Single Pulse Power

Safe Operating Area, Junction-to-Case

100

200

160

Limited by r

DS(on)

1 ms

120

10 ms

100 ms

0.1

1 s

10 s

= 25_C

Single Pulse

0.01

0.001

0.01

0.1

100

Time (sec)

- Drain-to-Source Voltage (V)

Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient

Duty Cycle = 0.5

0.2

Notes:

0.1

0.05

1. Duty Cycle, D =

0.02

2. Per Unit Base = R

= 115_C/W

thJA

(t)

- T = P Z

DM thJA

3. T

Single Pulse

4. Surface Mounted

0.01

-4

-3

-2

-1

100

600

Square Wave Pulse Duration (sec)

Document Number: 72274

S-31362—Rev. A, 30-Jun-03

www.vishay.com

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