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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6544DQ-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si |
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| SI6544DQ-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si |
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| SI65-470 | DELTA |
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SMT Power Inductor |
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| SI65-470K | DELTA |
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SMT Power Inductor |
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| SI65-4R7L | DELTA |
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SMT Power Inductor |
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| SI6552DQ | VISHAY |
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Dual N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI6552DQ-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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| SI65-560 | DELTA |
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SMT Power Inductor |
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| SI65-560K | DELTA |
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SMT Power Inductor |
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| SI6562CDQ | VISHAY |
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N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETs |
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