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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI5435BDC-T1-E3
SI5435BDC-T1-E3 PDF预览

SI5435BDC-T1-E3

更新时间： 2024-02-13 04:10:42
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI5435BDC-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3 A
最大漏极电流 (ID)：4.3 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI5435BDC-T1-E3 数据手册

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Si5435BDC  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.045 @ V = −10 V  
−5.9  
−4.4  
GS  
−30  
0.080 @ V = −4.5  
V
GS  
1206-8 ChipFETr  
S
1
D
G
D
D
D
D
Marking Code  
BJ XXX  
D
G
S
Lot Traceability  
and Date Code  
D
Part # Code  
P-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si5435BDC-T1—E3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−30  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
−4.3  
−3.1  
−5.9  
−4.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−30  
a
Continuous Source Current  
I
−2.1  
2.5  
−1.1  
1.3  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
0.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
_C  
b, c  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
40  
80  
15  
50  
95  
20  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulation  
process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequate bottom side solder intercon-  
nection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73137  
S-41887—Rev. A, 18-Oct-04  
www.vishay.com  
1
123456

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与SI5435BDC-T1-E3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SI5435BDC-T1-GE3 VISHAY TRANSISTOR 4300 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL

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