是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XDSO-C8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI5443DC-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL | |
SI5445BDC | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5445BDC_08 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5445BDC-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5445DC | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5445DC-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 5200 mA, 8 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 1206-8, CHIPFET-8, FET Gener | |
SI5445DC-T1 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5445DC-T1-E3 | VISHAY |
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Transistor | |
Si5446DU | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI54-470 | DELTA |
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SMT Power Inductor |