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SI3973DV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 14:35:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 100K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6

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SI3973DV-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (ID)：2.4 A
最大漏源导通电阻：0.087 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3973DV-T1-GE3 数据手册

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Si3973DV  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen free According to IEC61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 2.7  
- 2.3  
- 1.5  
Definition  
0.087 at VGS = - 4.5 V  
0.120 at VGS = - 2.5 V  
0.165 at VGS = - 1.8 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
- 12  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Portable  
- PA Switch  
- Load Switch  
TSOP-6  
Top View  
S
1
S
2
G1  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
5
3 mm  
S2  
G2  
G
G
2
1
4
2.85 mm  
Ordering Information: Si3973DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
D
1
D
2
Si3973DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen free)  
Marking Code:  
MBxxx  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
V
VGS  
8
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 2.7  
- 2.2  
- 2.4  
- 1.9  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 7  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 1.05  
1.15  
- 0.75  
0.83  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
0.73  
0.53  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
93  
Maximum  
110  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
75  
150  
°C/W  
RthJF  
90  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72337  
S09-2277-Rev. E, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
123456

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