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SI3993DV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 21:12:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 209K
描述
TRANSISTOR 1800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3993DV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：0.133 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3993DV-T1-GE3 数据手册

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Si3993DV  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 2.2  
- 1.6  
Definition  
0.133 at VGS = - 10 V  
0.245 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Symetrical Dual P-Channel  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 30  
APPLICATIONS  
•
Battery Switch for Portable Devices  
•
Computers  
- Bus Switch  
- Load Switch  
TSOP-6  
Top View  
S
S
2
1
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
6
1
3 mm  
5
4
2
3
G
1
G
2
2.85 mm  
Ordering Information: Si3993DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
D
1
D
2
Si3993DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Marking Code:  
MFxxx  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 30  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 2.2  
- 1.7  
- 1.8  
- 1.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 8  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 1.05  
1.15  
- 0.75  
0.83  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
T
A = 70 °C  
0.73  
0.53  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
93  
Maximum  
110  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
75  
150  
°C/W  
RthJF  
90  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72320  
S09-2275-Rev. C, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
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