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SI3442CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-01-26 20:26:34

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	223K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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技术参数
数据手册

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SI3442CDV-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	6.6 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-193AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.7 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442CDV-T1-GE3 数据手册

浏览型号SI3442CDV-T1-GE3的Datasheet PDF文件第10页

Package Information

Vishay Siliconix

TSOP: 5/6−LEAD

JEDEC Part Number: MO-193C

-B-

0.15

B A

5-LEAD TSOP

6-LEAD TSOP

-A-

0.17 Ref

Gauge Plane

Seating Plane

0.08

-C-

(L )

MILLIMETERS

INCHES

Dim

A₁

A₂

E₁

Min

Nom

Max

Min

0.036

0.0004

0.035

0.012

0.004

0.116

0.106

0.061

Nom

Max

0.91

0.01

0.90

0.30

0.10

2.95

2.70

1.55

1.10

0.10

1.00

0.45

0.20

3.10

2.98

1.70

0.043

0.004

0.039

0.018

0.008

0.122

0.117

0.067

0.32

0.15

3.05

2.85

1.65

0.95 BSC

1.90

0.038

0.013

0.006

0.120

0.112

0.065

0.0374 BSC

0.075

1.80

2.00

0.50

0.071

0.012

0.079

0.020

e₁

0.32

0.60 Ref

0.25 BSC

0.024 Ref

0.010 BSC

L₁

L₂

0.10

0.004

Nom

7 Nom

ECN: C-06593-Rev. I, 18-Dec-06

DWG: 5540

Document Number: 71200

18-Dec-06

www.vishay.com

1...4 5 678 9 10 11

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