5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI1046R-T1-E3
SI1046R-T1-E3 PDF预览

SI1046R-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 06:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI1046R-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.6 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SI1046R-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI1046R-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI1046R-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI1046R-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI1046R-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页 
New Product  
Si1046R  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated  
ESD Protected: 2000 V  
I
D (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
0.420 at VGS = 4.5 V  
0.501 at VGS = 2.5 V  
0.660 at VGS = 1.8 V  
0.606  
0.505  
0.15  
RoHS  
COMPLIANT  
20  
0.92  
APPLICATIONS  
•
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,  
Memories  
•
•
•
Battery Operated Systems  
Power Supply Converter Circuits  
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
SC75-3L  
G
S
1
2
Marking Code  
J
XX  
3
D
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
Top View  
Ordering Information: Si1046R-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1046R-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
8
0.606b, c  
0.485b, c  
2.5  
0.21b, c  
0.25b, c  
0.16b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
530  
Unit  
t ≤ 5 s  
440  
540  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
°C/W  
Steady State  
650  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 650 °C/W.  
Document Number: 74595  
S-81543-Rev. B, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

SI1046R-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1046R-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1012CR-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 TRANSISTOR 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-
SI1012R-T1-E3 VISHAY

类似代替

 N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

与SI1046R-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1046R-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1046X VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1046X-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1046X-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI104-820 ETC

获取价格

 		SMT Power Inductor
SI104-820K DELTA

获取价格

 		SMT Power Inductor
SI1050X VISHAY

获取价格

 		N-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI1050X_08 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI1050X_10 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI1050X-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 8-V (D-S) MOSFET

与SI1046R-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证