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SHDC225456

更新时间： 2024-11-09 15:51:11

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	31K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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SHDC225456 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHDC225456 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD225456

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4103, REV. -

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

100 Volt, 0.03 Ohm, 35A MOSFET

Fast Switching

Low R_{DS (on)}

Electrically Equivalent to IRF3710

Add an “S” to the end of the part number for S-100 screening, SHD225456S

Add a “C” to the part number for ceramic seals, SHDC225456

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=10V, T_C= 25C

V_GS=10V, T_C= 100C

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

V_GS

I_D

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

T_OP/T_STG

R_thJC

-55

+150

1.0

125

C/W

Watts

P_D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

V_GS= 0V, I_D= 250mA

BV_DSS

100

Volts

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

R_DS(ON)

0.03

V_GS= 10V, I_D= 28A

V_GS(th)

g_fs

2.0

4.0

Volts

S(1/W)

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= 250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS= 15V, I_DS= 28A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= Max. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

I_GSS

250

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V, T_J= 125C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TOTAL GATE CHARGE

GATE TO SOURCE CHARGE

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_GS= 10 V,

V_DS= 80 V,

I_D= 28A

V_DD= 50V,

I_D= 28A

100

-100

200

105

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

nsec

R_G= 2.5W

V_SD

1.3

Volts

nsec

DIODE FORWARD VOLTAGE

REVERSE RECOVERY TIME

T_j= 25C, I_S= 28A

V_GS= 0V

t_rr

280

T_J= 25C,

I_f= 28A

di_F/ds = 100A/msec

V_GS= 0 V

Q_rr

2.0

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

2920

670

340

V_DS= 25 V

f = 1.0MHz

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com

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