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SHD116213B

更新时间： 2024-11-18 04:51:59
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 159K
描述
SILICON SCHOTTKY RECTIFIER Very Low Forward Voltage Drop

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SHD116213B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SHD-1B, 1 PIN
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.78其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XSSO-G1
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：1020 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SHD116213B 数据手册

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SHD116213  
SHD116213B  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 786, REV. A  
SILICON SCHOTTKY RECTIFIER  
Very Low Forward Voltage Drop  
Features:  
•
•
•
•
•
•
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Very Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capacity  
Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability  
Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
Maximum Ratings  
Characteristics  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
50% duty cycle, rectangular  
wave form  
Max.  
60  
Units  
V
A
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward  
Current  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Non-Repetitive Avalanche  
Energy  
30  
1020  
13  
IFSM  
EAS  
IAR  
8.3 ms, half Sine wave  
A
mJ  
A
TJ = 25 °C, IAS = 11.5 A,  
L = 11.5 mH  
AS decay linearly to 0 in 1 µs  
Repetitive Avalanche Current  
1.5  
I
ƒ limited by TJ max VA=1.5VR  
Maximum Thermal Resistance  
RθJC  
°C/W  
Max. Junction Temperature  
Max. Storage Temperature  
TJ  
Tstg  
-
-
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Electrical Characteristics  
Characteristics  
Max. Forward Voltage Drop  
Symbol  
VF1  
Condition  
@ 15A, Pulse, TJ = 25 °C  
@ 15A, Pulse, TJ = 125 °C  
@VR = 60V, Pulse,  
TJ = 25 °C  
Max.  
0.60  
0.56  
0.8  
Units  
V
V
VF2  
IR1  
Max. Reverse Current  
mA  
IR2  
CT  
@VR = 60V, Pulse,  
TJ = 125 °C  
45  
mA  
pF  
Max. Junction Capacitance  
720  
@VR = 5V, TC = 25 °C  
fSIG = 1MHz,  
VSIG = 50mV (p-p)  
• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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与SHD116213B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD116217 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, HERMETIC SEALED, SHD-1A, 2 PI
SHD116221 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, HERMETIC SEALED, SHD-1, 2 PIN
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 		HERMETIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse

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