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SH8J65TB

更新时间： 2024-02-10 16:31:36

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罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	156K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SH8J65TB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.029 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SH8J65TB 数据手册

4V Drive Pch+Pch MOSFET

SH8J65

Structure

Dimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET

SOP8

Features

1) Low On-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small Surface Mount Package (SOP8).

Application

Switching

Each lead has same dimensions

Packaging specifications

Inner circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

SH8J65

∗2

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

∗1

(1)

(2)

(3)

(4)

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

Limits

−30

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Gate-source voltage

Continuous

Pulsed

7.0

Drain current

∗1

I_DP

Continuous

Pulsed

I_S

−1.6

−28

2.0

Source current

(Body diode)

∗1

∗2

I_SP

W / TOTAL

W / ELEMENT

°C

Total power dissipation

P_D

1.4

Channel temperature

Tch

150

Range of Storage temperature

∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

Tstg

−55 to +150

°C

www.rohm.com

2011.10 - Rev.B

1/5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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